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光入浸式光导室温型HgCdTe探测器介绍
PCI-n（n表示特性波长，单位是微米）系列的光电探测器是非制冷红外光电探测器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）过半球透镜（标准）或者半球透镜（可选）进行光浸入。这些装置在2～12?m范围内的任意值可以达到好的性能。他们的高性能和稳定性通过新开发的变隙（HgCdZnTe）半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户所定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。
光入浸式光导室温型HgCdTe探测器参数
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特性（@ 20?C） |
单位 |
LD-PCI-4 |
LD-PCI-5 |
LD-PCI-6 |
LD-PCI-9 |
LD-PCI-10.6 |
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特性波长λop |
?m |
4 |
5 |
6 |
9 |
10.6 |
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探测率: at λ? peak, 20kHz at λop, 20kHz |
cmHz1/2/W |
>1E10 >6E9 |
>6E9 >4E9 |
>2.5E9 >1E9 |
>5E8 >1E8 |
>1E8 >5E7 |
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响应度-@λop |
Vmm/W |
>600 |
>300 |
>60 |
>3 |
>1 |
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响应时间τ |
ns |
<1000 |
<500 |
<200 |
<2 |
<1 |
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1/f噪声拐点频率 |
kHz |
1-20 |
1-20 |
1-20 |
1-20 |
1-20 |
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有效面积(长×宽) |
mm×mm |
0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2 |
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偏置电流-宽度比 |
mA /mm |
1－2 |
2－4 |
3－10 |
3－15 |
5－20 |
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薄层电阻系数 |
Ω/sqr |
300-1000 |
200-400 |
100-300 |
50-150 |
40-120 |
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视场, F# |
deg |
36,1.62 |
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更多信息：点元探测器
http://www.leadingoe.com.cn/leadingoe01-Products-8507801/
https://www.gkzhan.com/st169227/erlist_539797.html